Transistor MOSFET de Potência Canal N IRFP260N TO-247

Descrição:

O IRFP260N é um transistor MOSFET de potência de canal N de alta performance, projetado para aplicações de chaveamento e controle de cargas em alta tensão e corrente. Com baixa resistência RDS(on), alta capacidade de corrente e excelente robustez térmica, é ideal para fontes chaveadas, inversores, amplificadores e sistemas industriais exigentes. Seu encapsulamento TO-247 facilita a montagem em dissipadores para maior dissipação de calor.

Onde usar:

Fontes chaveadas (SMPS) e reguladores de tensão

Inversores de potência e conversores DC-DC

Controladores de motor e drivers de potência

Amplificadores de áudio de alta potência

Equipamentos industriais e automação

Projetos robustos de alta corrente e tensão

Item incluso:

01 peça Transistor Mosfet de Potência Canal N IRFP260N

Especificações técnicas:

Tipo: Transistor MOSFET de potência canal N

Modelo: IRFP260N

Encapsulamento: TO-247

Tensão dreno-fonte (VDS): 200 V

Corrente de dreno contínua (ID): 50 A

Potência dissipada (Pd): Alta, com uso de dissipador

Resistência RDS(on): Baixa (típica)

Tensão gate-source (VGS): ±20 V

Temperatura de operação: Amplas faixas industriais

Aplicação: Chaveamento e controle de cargas pesadas