Transistor MOSFET IRF640 Canal N TO-220

Descrição:

O IRF640 é um transistor MOSFET de potência canal N, indicado para aplicações de chaveamento e controle de cargas em média e alta tensão. Possui boa capacidade de corrente, baixa resistência RDS(on) e resposta rápida, sendo amplamente utilizado em fontes chaveadas, drivers de motores, inversores e circuitos de potência em geral. O encapsulamento TO-220 facilita a montagem em dissipadores, garantindo melhor desempenho térmico.

Onde usar:

Fontes chaveadas e conversores DC-DC

Chaveamento de cargas indutivas e resistivas

Controle de motores, relés e solenóides

Inversores e sistemas de potência

Projetos industriais e automação

Aplicações com microcontroladores e drivers

Item incluso:

01 peça Transistor Mosfet IRF640 Canal N TO-220

Especificações técnicas:

Tipo: Transistor MOSFET de potência canal N

Modelo: IRF640

Encapsulamento: TO-220

Tensão dreno-fonte (VDS): 200 V

Corrente de dreno contínua (ID): Até 18 A

Potência dissipada (Pd): Até 125 W (com dissipador adequado)

Resistência RDS(on): Aproximadamente 0,18 Ω

Tensão gate-source (VGS): ±20 V

Temperatura de operação: 55 °C a +175 °C

Aplicação: Chaveamento e controle de potência